眾所周知，在目前的技術(shù)狀態(tài)下，鋁的真空釬焊通過(guò)以下方式進(jìn)行：

要釬焊在一起的部件設置在具有類(lèi)似于傳統烤箱結構的烘箱內，用于在金屬真空中進(jìn)行熱處理，所述部件至少在要進(jìn)行釬焊的水平上具有共晶化合物的電鍍，例如具有鋁和硅基;同時(shí)，芯片或晶圓形式的鎂被放置在這些部件附近;

然后在烘箱中以約10@-4至5.times.10@6毫巴的壓力提供相對真空;

然后加熱烤箱直到獲得釬焊溫度（500°C.至600°C之間）。

在加熱過(guò)程中，首先通過(guò)鎂的氧化（燃燒）獲得氧氣吸收效果（吸氣效應），該氧化（吸氣效應）始于約350°C的溫度。這種對氧氣的吸收更特別地防止在待處理部件上形成氧化鋁，尤其是在釬焊發(fā)生的水平上。該反應還導致水蒸氣的消除（水的還原）。

這種技術(shù)雖然效果很好，但缺點(diǎn)主要是：

不僅在鎂表面而且在整個(gè)烤箱內部容積中強烈形成氧化鎂（由于鎂的蒸發(fā)）;結果是氧化鎂對烤箱的污染，氧化鎂在烤箱的打開(kāi)階段會(huì )進(jìn)一步吸收空氣的濕度，然后必須經(jīng)常清潔后者;

濕度;事實(shí)上，烘箱內存在水蒸氣，特別是由于氧化鎂的濕度導致通常使用油蒸氣擴散的普通真空泵運行不良，并且需要更長(cháng)的時(shí)間才能達到處理壓力，能耗增加;

過(guò)量消耗鎂，鎂是一種相對昂貴的金屬。

本文提出克服這些缺點(diǎn)。

它提供了上述類(lèi)型的處理爐，但還包括用于支撐烤箱內鎂的裝置，以及獨立于用于獲得釬焊溫度的加熱裝置加熱該鎂的裝置。

因此，可以控制鎂的加熱并將其加熱到吸收烤箱內氧氣量所需的水平。

因此，避免了氧化鎂的過(guò)度形成，特別是避免了高溫下產(chǎn)生的鎂蒸氣產(chǎn)生的氧化鎂。很明顯，因此獲得了可觀(guān)的鎂節省，并且大大減少了烤箱的污染。

此外，通過(guò)事先加熱氧化鎂，可以在泵送之前和/或期間消除水蒸氣，從而提高泵的效率，并大大減少達到處理壓力的時(shí)間。

另一個(gè)特征，烘箱包括伺服控制裝置，用于控制加熱鎂的裝置的功率，作為烘箱內氣氛成分的函數，特別是作為其氧和水蒸氣含量的函數。

優(yōu)選實(shí)施例的說(shuō)明

如圖所示，該烘箱包括基本上為圓柱形形狀的密封外殼1，可通過(guò)未示出的密封門(mén)進(jìn)入其內部。

該外殼1以本身已知的方式連接到能夠形成相對真空的泵送裝置（未示出），其量級為10@-4至5.times.10@-6毫巴。

烘箱內待處理部件的加熱通過(guò)使用加熱裝置進(jìn)行輻射來(lái)實(shí)現，加熱裝置包括：

一個(gè)基本上平行六面體形狀的熱外殼2，其壁形成熱屏，并定義一個(gè)中央體積V，其中設置了要處理的部件，該熱外殼是光學(xué)封閉的，但相對于烤箱中所含的氣體沒(méi)有密封;和

電加熱電阻4平行于所述壁面設置，在熱外殼2內部。

這些電阻4連接到烤箱外部的電源（未顯示），整體能夠將要釬焊的零件加熱到650°C量級的溫度。

烘箱還包括，在外殼1內部但在熱外殼2的外部，設置用于加熱鎂的輔助加熱裝置，例如以晶片或芯片的形式，獨立于加熱要處理的部件的加熱電阻4。

在所示的示例中，這些輔助加熱裝置由兩個(gè)加熱電阻網(wǎng)絡(luò )5、6組成，它們平行于熱外殼2的垂直壁延伸。

這些電阻5，6由格子壁7，8保護鎂晶片9，9'固定在其上。然后，加熱電阻5，6的電源由電源電路提供電流，其功率根據烤箱內存在的氣體成分的性質(zhì)，特別是其氧氣和水蒸氣含量進(jìn)行控制。

為此，該電源電路包括電源10和調節裝置11，其控制施加到電阻5、6的功率作為對烘箱內存在的氣體成分的分析結果的函數，并由分析儀12提供。后者通過(guò)配備有泵14的采樣回路13接收存在于烘箱內的氣體的樣品。

很明顯，使用該設備，可以獨立于要釬焊的零件的加熱3來(lái)加熱鎂（板9，9'），從而在泵送之前和/或泵送期間根據需要在所需時(shí)間產(chǎn)生吸氣劑效應。

此外，通過(guò)調節這種加熱作為氧氣的函數，烘箱內大氣中的水蒸氣含量，氧化鎂的產(chǎn)生以及鎂的消耗可以減少到[敏感詞]必要的水平。

當然，如果有必要，可以將鎂處理在零件3附近，以完全去除烤箱中的氧氣和水蒸氣。

在所示的示例中，同時(shí)用作電阻4支撐的熱外殼2在外側由更輕且易于拆卸的外殼15加倍。第二個(gè)外殼以細線(xiàn)顯示，用作外殼 2 的熱屏蔽和鎂阱。處理完成后，可以很容易地將其取出然后清潔。